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X光掩模板制造技术

基本信息

  • 申请号 CN00111413.1 
  • 公开号 CN1262460A 
  • 申请日 2000/01/04 
  • 公开日 2000/08/09 
  • 申请人 上海交通大学  
  • 优先权日期  
  • 发明人 陈迪 赵旭  
  • 主分类号  
  • 申请人地址 200030上海市华山路1954号 
  • 分类号  
  • 专利代理机构 上海交通大学专利事务所 
  • 当前专利状态 发明专利申请公布 
  • 代理人 毛翠莹 
  • 有效性 发明公开 
  • 法律状态
  •  

摘要

一种X光掩模板制造技术,在双面氧化过的硅片上用氢氧化钾溶液从反面刻蚀硅,留下硅膜;在正面光刻图形,刻蚀去其中的二氧化硅;用二氧化硅作为掩膜,进行硅的深层刻蚀,留一定厚度的硅膜作为支撑层,即可获得用硅作为X光阻挡层和支撑层的新型X光掩模板。
本发明具有工艺简单,价格低廉,制造周期短,寿命长等优点,无不同材料间的粘结和热膨胀系数的匹配问题,其厚度、侧壁垂直度均达到进行X光深层光刻的技术指标要求。
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