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半导体数据存储电路装置及其检查方法以及替换该装置中有缺陷单元的方法

基本信息

  • 申请号 CN01143545.3 
  • 公开号 CN1368737A 
  • 申请日 2001/12/12 
  • 公开日 2002/09/11 
  • 申请人 三菱电机株式会社  
  • 优先权日期  
  • 发明人 中野裕文 宫西笃史 森实静生  
  • 主分类号  
  • 申请人地址 日本东京都 
  • 分类号  
  • 专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 
  • 当前专利状态 发明专利申请公布 
  • 代理人 杨凯 
  • 有效性 发明公开 
  • 法律状态
  •  

摘要

本发明的课题是提供不论通常工作用的位宽如何可以改变试验工作用的位宽的半导体存储电路装置及其检查方法。
在半导体芯片的存储器芯内具有由行数和列数之积的存储单元数构成的存储单元阵列1、1位的输入输出线与存储单元阵列1的通常工作用的在存储器芯内形成的存储单元阵列1预先设定的列数即4列、8列或2列对应的输入输出电路和存储单元阵列1的试验工作用的在存储器芯内形成的不论与通常工作时的输入输出电路的1位的输入线或输出线或输入输出线对应的列数如何而1位的输入输出线都与存储单元阵列1的恒定的列数即2列对应的检查电路。
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