八月瓜首页 > 专利查询 > >正文

半导体存储器件

基本信息

  • 申请号 CN01143546.1 
  • 公开号 CN1399340A 
  • 申请日 2001/12/11 
  • 公开日 2003/02/26 
  • 申请人 株式会社东芝  
  • 优先权日期  
  • 发明人 大泽隆  
  • 主分类号  
  • 申请人地址 日本东京都 
  • 分类号  
  • 专利代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 
  • 当前专利状态 发明专利申请公布 
  • 代理人 王永刚 
  • 有效性 发明公开 
  • 法律状态
  •  

摘要

半导体存储器件具有构成存储单元(MC)的多个完全耗尽型MISFET。
各MISFET具备:半导体层(13)、源极区域(16)和漏极区域(17),二者之间的半导体层将成为浮置状态的沟道体、在沟道体的两面上分别形成的主栅极(15)和辅助栅极(18)。
上述MISFET在上述沟道体变成为完全耗尽化的状态下,而且以在上述沟道体的辅助电极一侧上可以积累多数载流子的状态为基准状态,具有已积累有多数载流子的第1数据状态和已放出了多数载流子的第2数据状态。
展开

查看更多专利详情信息请先登录或注册会员

相关专利类别推荐

获取手机验证码,即可注册成为会员

专利详情咨询

咨询内容

姓名

手机

验证码

用户登录

手机号

手机验证码

提示

不能再减了!!!

提交成功

八月瓜客服中心已经收到您的信息,正在为您派遣知识产权顾问。知识产权顾问会携带贴心的服务以闪电搬的速度与您联系。

扫一扫关注八月瓜微信 创业一手掌握