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存储器的浮动闸极的形成方法

基本信息

  • 申请号 CN01143567.4 
  • 公开号 CN1426091A 
  • 申请日 2001/12/10 
  • 公开日 2003/06/25 
  • 申请人 旺宏电子股份有限公司  
  • 优先权日期  
  • 发明人 范左鸿 蔡文哲 卢道政  
  • 主分类号  
  • 申请人地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 
  • 分类号  
  • 专利代理机构 上海专利商标事务所 
  • 当前专利状态 发明专利申请公布 
  • 代理人 任永武 
  • 有效性 发明公开 
  • 法律状态
  •  

摘要

本发明揭示了一种新的半导体元件的制造方法。
首先提供一半导体底材,于半导体底材的边界中分别形成一绝缘区且半导体底材上形成一介电层。
然后,进行一第一离子植入步骤以形成一离子植入区于两绝缘区的间的半导体底材中。
接着,进行一第二离子植入步骤与一第三离子植入步骤以强化两绝缘区之间的半导体底材中的离子植入区。
然后,形成且限定浮动闸极于介电层上。
最后,通过第四离子植入步骤形成源极/汲极区于浮动闸极彼此之间的半导体底材中。
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