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形成无机固体电解质薄膜的方法

基本信息

  • 申请号 CN01143587.9 
  • 公开号 CN1359165A 
  • 申请日 2001/12/13 
  • 公开日 2002/07/17 
  • 申请人 住友电气工业株式会社  
  • 优先权日期  
  • 发明人 久贝裕一 太田进启  
  • 主分类号  
  • 申请人地址 日本大阪 
  • 分类号  
  • 专利代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 
  • 当前专利状态 发明专利申请公布 
  • 代理人 王杰 
  • 有效性 失效 
  • 法律状态 失效
  •  

摘要

本发明提供了一种生产具有相对高的离子电导率的无机固体电解质薄膜的方法。
在该方法中,通过汽相沉积法,在加热的基底元件上,形成由无机固体电解质制成的薄膜。
通过热处理获得的该薄膜具有高于在未经加热的基底元件上形成的薄膜的离子电导率。
该离子电导率还可通过在室温下或在低于40℃的温度下的基底元件上形成由无机固体电解质制成的薄膜,而后加热该无机固体电解质薄膜的步骤来提高。
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