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等离子体显示器及其制造方法

基本信息

  • 申请号 CN01143603.4 
  • 公开号 CN1356712A 
  • 申请日 2001/11/02 
  • 公开日 2002/07/03 
  • 申请人 三星SDI株式会社  
  • 优先权日期  
  • 发明人 寺尾芳孝 小松隆史 吴济焕 山田幸香  
  • 主分类号  
  • 申请人地址 韩国京畿道 
  • 分类号  
  • 专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 
  • 当前专利状态 发明专利申请公布 
  • 代理人 魏晓刚 
  • 有效性 发明公开 
  • 法律状态
  •  

摘要

一种等离子体显示器包括第一和第二透明衬底,其相互面对排列;多个隔墙,其在第一和第二透明衬底之间形成;一种磷光体,其形成于放电单元内表面上,该放电单元由隔墙限定;一阶梯缓冲层,其在隔墙一端部之间的第一透明衬底上形成;和多个寻址电极,其在隔墙之间的第一透明衬底上和在阶梯缓冲层上形成。
阶梯缓冲层的厚度在隔墙的纵向上逐渐增加。
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