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电子结构及其形成方法

基本信息

  • 申请号 CN01143660.3 
  • 公开号 CN1360346A 
  • 申请日 2001/12/17 
  • 公开日 2002/07/24 
  • 申请人 国际商业机器公司  
  • 优先权日期  
  • 发明人 小西里尔·卡布拉尔 罗伊·A·卡拉瑟斯 詹姆斯·M·E·哈珀 胡朝坤 李金阳 伊斯梅尔·C·诺延 罗伯特·罗森伯格 托马斯·M·肖  
  • 主分类号  
  • 申请人地址 美国纽约州 
  • 分类号  
  • 专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 
  • 当前专利状态 发明专利申请公布 
  • 代理人 范明娥 
  • 有效性 授权 
  • 法律状态 权利转移
  •  

摘要

本发明公开了一种用于电子结构中的导电体,它包括一种由含有约0.001%(原子)到大约2%(原子)之间的选自Ti,Zr In,Sn和Hf中的元素的合金所形成的导电体,和一种邻接所述导电体,由含有Ta,W,Ti,Nb和V的合金所形成的衬。
本发明还公开了一种用于半导体内连接件的衬,它由选自Ti,Hf,In,Sn,Zr及其合金,TiCu展开

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