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基本信息
- 申请号 CN201811377428.2
- 公开号 CN109524456A
- 申请日 2018/11/19
- 公开日 2019/03/26
- 申请人 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 优先权日期
- 发明人 谭永亮 张力江 默江辉 杨中月 李亮
- 主分类号 H01L29/16
- 申请人地址 050051 河北省石家庄市合作路113号
- 分类号 H01L29/16;H01L29/45;H01L21/324
- 专利代理机构 石家庄国为知识产权事务所
- 当前专利状态 发明专利申请公布
- 代理人 赵宝琴
- 有效性 审查中-实审
- 法律状态 审查中-实审
摘要
本发明提供了一种适用于高温的碳化硅欧姆接触制作方法及碳化硅功率器件，属于半导体器件制作技术领域，包括以下步骤：清洗碳化硅圆片；光刻定义欧姆接触区域；在碳化硅圆片表面沉积多层金属，所述多层金属依次为镍、钨，或者为，镍、铌；金属剥离，制备金属电极；欧姆接触退火形成欧姆接触电极。
本发明提供的适用于高温的碳化硅欧姆接触制作方法，欧姆接触电极的表面形貌平整，无碳颗粒析出，并且在高温下欧姆接触性能不发生退化。
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本发明提供的适用于高温的碳化硅欧姆接触制作方法，欧姆接触电极的表面形貌平整，无碳颗粒析出，并且在高温下欧姆接触性能不发生退化。
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权利要求书
1.适用于高温的碳化硅欧姆接触制作方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗碳化硅圆片；光刻定义欧姆接触区域；在碳化硅圆片表面沉积多层金属，所述多层金属依次为镍、钨，或者为，镍、铌；金属剥离，制备金属电极；欧姆接触退火形成欧姆接触电极。
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H01L
