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发光二极管外延片及其生长方法

基本信息

  • 申请号 CN202010659341.5 
  • 公开号 CN111554784A 
  • 申请日 2020/07/09 
  • 公开日 2020/08/18 
  • 申请人 华灿光电(浙江)有限公司  
  • 优先权日期  
  • 发明人 李鹏 从颖 姚振 董彬忠 吴志浩 梅劲  
  • 主分类号 H01L33/14 
  • 申请人地址 322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号 
  • 分类号 H01L33/14;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/56 
  • 专利代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 
  • 当前专利状态 发明专利申请公布 
  • 代理人 徐立 
  • 有效性 审查中-实审 
  • 法律状态 审查中-实审
  •  

摘要

本公开提供了一种发光二极管外延片及其生长方法,属于半导体技术领域。
所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层,所述N型半导体层由依次层叠的第一单层、复合层和第二单层组成,所述复合层由(n+1)个第一子层和n个第二子层交替层叠而成,n为正整数;所述第一子层为掺杂Si的GaN层,所述第二子层、所述第一单层和所述第二单层均为掺杂Al的GaN层,且所述第一单层和所述第二单层中Al的掺杂浓度均大于所述第二子层中Al的掺杂浓度。
本公开在提供大量自由移动的电子进行复合发光的同时,有效提高LED外延片的晶体质量,确保LED的性能能够满足应用需要。
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